計算概要 -Computation Summary-
代表的なドライエッチング手法のひとつである、CCP(容量結合プラズマ)エッチングに関する解析事例です。 Particle-PLUSは真空チャンバ内のプラズマ解析を得意としており、高速にエッチング率などのシミュレーションを行うことができます。
▣CCPを用いた基板表面クリーニング
項目・・・
a.『モデル概要』
b.『電位』
c.『粒子数密度』
d.『エネルギー分布』
e.『電子流束』
f.『Arイオン流束』
g.『基板表面のクリーニング』
ギャラリー -gallery-
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