GEC-CCP装置のプラズマ解析

計算概要　 -Computation Summary-

代表的なドライエッチング手法のひとつである、CCP（容量結合プラズマ）エッチングに関する解析事例です。 Particle-PLUSは真空チャンバ内のプラズマ解析を得意としており、高速にエッチング率などのシミュレーションを行うことができます。

項目・・・

a.『モデル概要』

b.『電位分布と自己バイアス効果』

c.『電子密度分布で見るプラズマの成長』

d.『粒子密度分布（定常状態）』

e.『反応レート分布』

f.『温度分布』

g.『エネルギー分布』

h.『イオン速度とジュール熱』

関連コラム　 -Column-

←「Particle-PLUS　事例集」に戻る

株式会社ウェーブフロント 

営業部 

メール：sales@wavefront.co.jp

TEL：045-682-7070